一、試驗(yàn)及標(biāo)準(zhǔn)
1、試驗(yàn)?zāi)康模撼Ｒ?低氣壓試驗(yàn)的試驗(yàn)?zāi)康耐ǔＳ?種：
1）確定產(chǎn)品在常溫條件下能否耐受低氣壓環(huán)境，在低氣壓環(huán)境下正常工作．以及耐受空氣壓力快速變化的能力。
2）確定常溫條件下元件和材料在低氣壓下耐電擊穿的能力，確定密封元件耐受氣壓差不被破壞的能力，確定低氣壓對元件工作特性的影響。
3）確定元器件和材料在氣壓減小時，由于空氣和其他絕緣材料的絕緣強(qiáng)度減弱抗電擊穿失效的能力。

    二、參考標(biāo)準(zhǔn)
1） G J B 150．2A一2009《軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第二部分低氣壓( 高度） 試驗(yàn)》;
2） G J B 360B一2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法方法105低氣壓試驗(yàn)》( 等效美軍標(biāo)M IL—STD一202F） ;
3） G J B 548B一2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序方法1001低氣壓( 高空作業(yè)） 》標(biāo)M IL—STD一883D）;
4） G B2421—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)總則》;
5） G B／T 2423，21—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)M 低氣壓試驗(yàn)方法》；
6） G B／T 2423．25—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z／AM 低溫／低氣壓綜合試驗(yàn)方法;
7）G B／T 2423、26—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z／BM 高溫／低氣壓綜合試驗(yàn)方法》；
8） G B2423．27—2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn)Z／AM D 高溫／低氣壓綜合試驗(yàn)方法》；
9） G B／T 2424．15—2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》。

    3、試驗(yàn)條件：
1）試驗(yàn)氣壓
GJB 548共列出了A、B、C、D、E、F、G7個不同條件下的高度氣壓值，并且所給出的試驗(yàn)條件有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變??；GJB 360給出了A、B、C、D、E、F、G、H、I、J 10個不同條件下的高度氣壓值，并且所列的高度-氣壓表中的試驗(yàn)條件由A到試驗(yàn)條件E有一定的規(guī)律性，隨著飛行高度由低到高，氣壓值由大變小，而由試驗(yàn)條件F到試驗(yàn)條件J沒有呈現(xiàn)規(guī)律性。與GJB 548所列的試驗(yàn)條件對比，GJB 360試驗(yàn)條件增加了條件H到試驗(yàn)條件J，對應(yīng)的氣壓高度條件分別為：H：3 000m 70kPa；J：18 000m，7、6kPa；K：25 000m, 2、5 kPa。
2）試驗(yàn)時間
GJB 360B-2009規(guī)定：
若無其他規(guī)定，試驗(yàn)樣品在低氣壓條件下的試驗(yàn)時間，可從下列數(shù)值中選取：
5min、30min、1h、2h、4h和16h。

3）升降壓速率

通常不大于10kPa/min

三、試驗(yàn)設(shè)備
低氣壓試驗(yàn)的主要設(shè)備為 高低溫低氣壓試驗(yàn)箱?？梢栽诟叩蜏氐蜌鈮簡雾?xiàng)或同時作用下，進(jìn)行貯存運(yùn)輸可靠性試驗(yàn)，并可同時對試件通電進(jìn)行電氣性能參數(shù)的測試。

四、問題與措施

1、問題
在低氣壓試驗(yàn)中元器件可能暴露的缺陷有：絕緣（電離、放電和介質(zhì)損耗）和結(jié)熱缺陷。
2、措施
1）針對在低氣壓情況下，容易產(chǎn)生放電現(xiàn)象，需加強(qiáng)絕緣電極及表面的絕緣性，灌封工藝是一個有效的解決辦法。
2）元器件的熱設(shè)計(jì)要充分考慮低氣壓帶來的溫升問題。