微電子器件常用的低氣壓試驗標(biāo)準(zhǔn)
作者：
salmon范
編輯：
瑞凱儀器
來源：
m.hlgsj12.cn
發(fā)布日期： 2020.10.31
通常，微電子器件產(chǎn)品使用如下幾個低氣壓試驗標(biāo)準(zhǔn):
1）CJB 150.2A-2009《軍用裝備實驗室環(huán)境試驗方法第二部分低氣壓（高度）試驗》；
2）GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗方法方法105低氣壓試驗》（ 等效美軍標(biāo)MIL-STD- 202F）；
3）GJB 548B-2005 《微電子器件試驗方法和程序方法1001低氣壓（高空作業(yè)）》（等效美軍標(biāo)MIL-STD-883D）；
4）CB/T 2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗總則》；
5）GB/T 2423.21-2008 《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗M低氣壓試驗方法》；
6）CB/T 2423.25-2008 《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ZAM低溫/低氣壓綜合試驗方法》；
7）CB/T 2423.26-2008 《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗Z/BM高溫/低氣壓綜合試驗方法>；
8）CB/T 2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗ZAMD高溫/低氣壓綜合試驗方法》；
9）CB/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程》。
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