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電子產(chǎn)品的可靠性和壽命對溫度非常敏感。溫度升高時,器件故障率迅速增大。根據(jù)阿侖尼烏斯模型可知,當溫度超過一定值時,器件的壽命呈指數(shù)規(guī)律下降。大功率LED的結溫常常比較高,這是因為(1)芯片的內(nèi)量子效率不可能達到100%。注入的電荷(空穴)只有一部分發(fā)生輻射復合,產(chǎn)生光子,另一部分則終變成熱; (2) LED芯片材料與其周圍材料的折射系數(shù)的不一致,致使芯片內(nèi)部產(chǎn)生的一部分光子無法順利地從芯片中溢出,而是在界面處產(chǎn)生全反射,返回到芯片內(nèi)部。熒光粉激發(fā)出的光也有一部分進入芯片內(nèi)部。這些光在LED芯片內(nèi)部經(jīng)過多次反射后終被芯片材料或襯底吸收,以晶格振動的形式變成熱; (3) 芯片上的電極結構、表面ITO層和PN結的材料等均存在一定的電阻值,當電流流過時,這些電阻就會產(chǎn)生焦耳熱。從電能到終從芯片出射的光能之間的變換有必然的損耗,損耗的那部分能量轉(zhuǎn)化為熱量,使芯片的溫度不斷升高,這就是LED芯片的自加熱效應。如果沒有良好的散熱,使芯片產(chǎn)生的熱量散發(fā)不出去,那么芯片的結溫就會過高,引起LED光源性能的下降和可靠性的降低,終導致失效。
溫度過高會引起芯片性能和熒光粉性能的下降。對LED芯片性能的影響主要表現(xiàn)在使內(nèi)量子效率降低。內(nèi)量子效率是溫度的函數(shù),溫度越高內(nèi)量子效率越低。這是因為溫度升高,電子與空穴的濃度會增加,禁帶寬度會減小,電子遷移率將減小,且勢阱中電子與空穴的輻射復合幾率降低,造成非輻射復合,從而降低LED的內(nèi)量子效率。溫度升高導致芯片的藍光波長向長波方向偏移,使芯片的發(fā)射波長和熒光粉的激發(fā)波長不匹配,也會造成白光LED外部光提取效率的降低。因為溫度淬滅效應,溫度的升高會使熒光粉本身的量子效率降低。另外,由于硅膠和熒光粉顆粒之間的折射率和熱膨脹系數(shù)不匹配,過高的溫度也會使熒光粉層的光轉(zhuǎn)換效率下降。
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