例1:待測器件經(jīng)過1，000小時溫度循環(huán)試驗后測試結(jié)果顯示電性為開路狀態(tài)。通過不良品分析實驗，剝離器件外部塑封膠后發(fā)現(xiàn)晶片與框架焊接過程中所使用銀漿在與晶片背面的焊接區(qū)域出現(xiàn)斷裂狀態(tài)(圖1)。通常半導體器件焊接所使用的銀漿的成分為錫/銀/銅，晶片的基材為硅。焊接過程中焊接溫度的設定，銀漿量的控制，晶片的柔片次數(shù)，塑封膠注人的壓力等都會對產(chǎn)品的終可靠性造成影響。當器件處于極端溫度變差及輸入偏壓開關(guān)模式下，器件在薄弱的不同介質(zhì)結(jié)合面會出現(xiàn)開路狀況，從而造成器件整體功能或電路模塊的失效。如果各種材料在高低溫下通過各自的膨脹系數(shù)所產(chǎn)生的應力沒有通過結(jié)合面之間的綬沖結(jié)構(gòu)得到釋放，這種影響可能會通過銀漿的結(jié)合面將應力傳導到器件為脆弱的晶片內(nèi)部，造成芯片內(nèi)部的物理損傷，隨著實驗時間的集聚，終造成電性的不良，嚴重的情況下會顯示出晶片的斷裂或燒毀。